学振R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会　第14回研究会

テーマ：「先端ロジック半導体：材料・プロセス・デバイス・人材」

開催日：2024年1月16日(火) 13：30～17：30

会場：東京大学本郷キャンパス　工学部4号館44講義室

形式：ハイブリッド開催（現地およびZOOM）

概要：いよいよ我が国で先端ロジック半導体製造が立ち上がる。ここでは2 nmトランジスタの実現そして量産化を目指し様々な革新的技術が導入される。加えて、最先端の位置付けを今後も保つには次世代技術の研究開発が欠かせない。このため産官学の間では、これらを支える人材の育成の重要性が共有されている。本研究会では最先端ロジック半導体をテーマとして、これを支える材料、プロセス、デバイス、人材育成に関し最前線で活躍されている方々を講師としてお招きし、現状と課題および可能性について話題提供いただき議論する。

【研究会プログラム】

13:30～13:35 開会挨拶

13:35～14:15 若林　整（東京工業大学）

「先端CMOSロジックデバイスアーキテクチャとプロセス」

14:15～14:55 長汐　晃輔（東京大学）

「MoS2トランジスタの発表から約10年　ー現状と将来展望ー」

14:55～15:35 岡崎　信次（ALITECS株式会社）

「EUVリソグラフィ：Mooreの法則を支えるキー技術」

15:35～15:45 休憩

15:45～16:25 堀 勝（名古屋大学）

「最先端半導体プラズマプロセスの現状と課題」

16:25～17:05 佐藤　仁（マイクロンメモリジャパン株式会社）

「半導体ビジネスから見た業界と人材の過去と未来」

17:05～17:30 総合討論＆閉会挨拶

17:35～19:00 　意見交換会（予定）

（敬称略）