学振R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会　　第4回研究会

テーマ：「次世代メモリデバイス技術の最前線」

開催日：令和４年１月１１日（火）　オンライン開催（別途連絡致します）

概要：半導体不足の問題が様々な業界に影響を及ぼし、主要ファウンドリーによる新規投資計画が報道される中、次世代メモリ技術が新たな展開を迎えようとしています。スピントロニクスをベースとしたメモリ技術であるMRAMに加え強誘電体メモリや相変化メモリなど、様々な物理系を用いた新しいメモリデバイスが注目を集めています。本研究会ではこれら異なるメモリ技術の中心的研究者を講師としてお迎えし、それらの技術動向と現状、および将来展望についてご紹介いただきます。

【研究会プログラム】

13:30-13:35　平川 一彦（東京大学）・森 貴洋（産業技術総合研究所）　「はじめに」

13:35-14:15　佐貫 朋也（キオクシア）　「メモリデバイス技術の最先端」

14:15-14:55　遠藤 哲郎（東北大学）　「STT/SOT-MRAMとその省電力ロジック応用」

14:55-15:35　島 久（産業技術総合研究所）　「抵抗変化メモリReRAM -その研究開発動向とAIアクセラレータへの展開-」

15:35-15:50　休憩

15:50-16:30　小林 正治（東京大学）　「次世代強誘電体メモリの研究開発動向」

16:30-17:10　須藤 祐司（東北大学）　「相変化メモリ材料の研究開発動向」